casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF5M12-M3/I
codice articolo del costruttore | VSSAF5M12-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF5M12-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5M12-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 420pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5M12-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF5M12-M3/I-FT |
DB3J201K0L
Panasonic Electronic Components
DB3J314K0L
Panasonic Electronic Components
NGTD8R65F2SWK
ON Semiconductor
NSR20204NXT5G
ON Semiconductor
STTH30AC06FP
STMicroelectronics
1N5711
Microsemi Corporation
1N5711UR-1
Microsemi Corporation
1N5712-1
Microsemi Corporation
1N5712UR-1
Microsemi Corporation
1N6677-1
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel