casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NGTD8R65F2SWK
codice articolo del costruttore | NGTD8R65F2SWK |
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Numero di parte futuro | FT-NGTD8R65F2SWK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTD8R65F2SWK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 30A |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD8R65F2SWK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTD8R65F2SWK-FT |
SR1502HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1504 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel