casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF3L45-M3/6B
codice articolo del costruttore | VSSAF3L45-M3/6B |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF3L45-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3L45-M3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 450µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 425pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3L45-M3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF3L45-M3/6B-FT |
VF20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel