casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VF30120S-M3/4W
codice articolo del costruttore | VF30120S-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF30120S-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VF30120S-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF30120S-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF30120S-M3/4W-FT |
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06FP-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel