casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKJ320-12PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKJ320-12PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKJ320-12PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKJ320-12PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ320-12PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKJ320-12PBF-FT |
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel