casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKJ320-12PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKJ320-12PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-VSKJ320-12PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKJ320-12PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ320-12PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKJ320-12PBF-FT |
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel