casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10200CS2-E1
codice articolo del costruttore | MBR10200CS2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10200CS2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10200CS2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CS2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10200CS2-E1-FT |
SDHD10KM
Semtech Corporation
SDHD15K
Semtech Corporation
SDHD5K
Semtech Corporation
SDHD5KM
Semtech Corporation
SDHN15K
Semtech Corporation
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
Semtech Corporation
SDHN7.5K
Semtech Corporation
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation