casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKJ250-16PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKJ250-16PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKJ250-16PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKJ250-16PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 125A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ250-16PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKJ250-16PBF-FT |
HTZ270H48K
IXYS
MBR10100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel