casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD56/08
codice articolo del costruttore | VS-VSKD56/08 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD56/08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD56/08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3) |
Pacchetto dispositivo fornitore | ADD-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD56/08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD56/08-FT |
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel