casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-MURB820TRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-MURB820TRL-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-MURB820TRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-MURB820TRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB820TRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MURB820TRL-M3-FT |
VB30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation