casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MURB1020CTR-M3
codice articolo del costruttore | VS-MURB1020CTR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MURB1020CTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-MURB1020CTR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB1020CTR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MURB1020CTR-M3-FT |
VB30100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel