casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB30150C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB30150C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB30150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30150C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30150C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30150C-E3/4W-FT |
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel