casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VS-KBPC102
codice articolo del costruttore | VS-KBPC102 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-KBPC102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-KBPC102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, KBPC-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPC1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-KBPC102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-KBPC102-FT |
GBJ2506-05-G
Comchip Technology
GBJ2506-06-G
Comchip Technology
GBJ2506-G
Comchip Technology
GBJ2508-04-G
Comchip Technology
GBJ2508-05-G
Comchip Technology
GBJ2508-06-G
Comchip Technology
GBJ2508-G
Comchip Technology
GBJ2510-03-G
Comchip Technology
GBJ2510-04-G
Comchip Technology
GBJ2510-05-G
Comchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel