casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2508-G
codice articolo del costruttore | GBJ2508-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2508-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2508-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2508-G-FT |
KBJ610G
Diodes Incorporated
KBJ606G
Diodes Incorporated
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
KBJ6005G
Diodes Incorporated
KBJ602G
Diodes Incorporated
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
SBR05M100BLP-7
Diodes Incorporated
SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
Microsemi Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel