casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV20-TR
codice articolo del costruttore | BAV20-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAV20-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV20-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV20-TR-FT |
EGL41C-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41T-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel