casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS100R12KT4GBOSA1
codice articolo del costruttore | FS100R12KT4GBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS100R12KT4GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS100R12KT4GBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KT4GBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS100R12KT4GBOSA1-FT |
FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor
FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor
VS-40MT120UHAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
FAM65V05DF1
ON Semiconductor
F3L300R07PE4PBOSA1
Infineon Technologies
F4100R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4N
Intel
EP4CGX110CF23C7
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel