casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VI30120S-M3/4W
codice articolo del costruttore | VI30120S-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VI30120S-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VI30120S-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI30120S-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VI30120S-M3/4W-FT |
VS-T110HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T20HF220
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HFL20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel