casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWH02FNTR-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWH02FNTR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWH02FNTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-8EWH02FNTR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 24ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWH02FNTR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWH02FNTR-M3-FT |
VS-6EVX06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EVL06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EVX06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50WQ10FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
30WQ06FNTR
SMC Diode Solutions
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel