casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWS12S-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWS12S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWS12S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-8EWS12S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWS12S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWS12S-M3-FT |
BAS16WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS16WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS69WFILM
STMicroelectronics
BAS70WFILM
STMicroelectronics
BAT 54W E6327
Infineon Technologies
BAT30WFILM
STMicroelectronics
BAT41WFILM
STMicroelectronics
BAT54WH6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel