casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-85HFR120M
codice articolo del costruttore | VS-85HFR120M |
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Numero di parte futuro | FT-VS-85HFR120M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-85HFR120M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 267A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-85HFR120M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-85HFR120M-FT |
SD1206T040S2R0
AVX Corporation
SD0805S020S1R0
AVX Corporation
SD0805S040S0R5
AVX Corporation
SD0805S020S0R5
AVX Corporation
SD0805S040S0R1
AVX Corporation
SD0603S040S0R2
AVX Corporation
SD2114S040S8R0
AVX Corporation
SD2114S040S5R0
AVX Corporation
NXPLQSC10650Q
WeEn Semiconductors
NXPSC10650Q
WeEn Semiconductors
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel