casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NXPLQSC10650Q
codice articolo del costruttore | NXPLQSC10650Q |
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Numero di parte futuro | FT-NXPLQSC10650Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NXPLQSC10650Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 230µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPLQSC10650Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NXPLQSC10650Q-FT |
CD214B-B260LF
Bourns Inc.
CD214B-B320LF
Bourns Inc.
CD214B-B330LF
Bourns Inc.
CD214B-B340LF
Bourns Inc.
CD214B-B350LF
Bourns Inc.
CD214B-B360LF
Bourns Inc.
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel