casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VI20120SG-E3/4W
codice articolo del costruttore | VI20120SG-E3/4W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VI20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VI20120SG-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120SG-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VI20120SG-E3/4W-FT |
VS-VSKE91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70HFL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T85HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel