casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-5EWX06FNTRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-5EWX06FNTRL-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-5EWX06FNTRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-5EWX06FNTRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 480ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-5EWX06FNTRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-5EWX06FNTRL-M3-FT |
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel