casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-50WQ10FN-M3
codice articolo del costruttore | VS-50WQ10FN-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-50WQ10FN-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-50WQ10FN-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 183pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-50WQ10FN-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-50WQ10FN-M3-FT |
CMDSH2-4L TR
Central Semiconductor Corp
CMDD2004 TR
Central Semiconductor Corp
CMDSH-4E TR
Central Semiconductor Corp
CMDD4448 BK
Central Semiconductor Corp
CMDD6263 TR
Central Semiconductor Corp
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
1PS74SB23,125
Nexperia USA Inc.
1PS74SB23,115
Nexperia USA Inc.
1PS74SB23,165
Nexperia USA Inc.
PMEG6010AED,115
Nexperia USA Inc.
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel