casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-50WQ03FNHM3
codice articolo del costruttore | VS-50WQ03FNHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-50WQ03FNHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-50WQ03FNHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 590pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-50WQ03FNHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-50WQ03FNHM3-FT |
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWX06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWX06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel