casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-8EWX06FNTRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-8EWX06FNTRL-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-8EWX06FNTRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-8EWX06FNTRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 17ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWX06FNTRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-8EWX06FNTRL-M3-FT |
SDURD830TR
SMC Diode Solutions
V10WM100-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel