casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-4ECH06-M3/9AT
codice articolo del costruttore | VS-4ECH06-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-4ECH06-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-4ECH06-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4ECH06-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-4ECH06-M3/9AT-FT |
S3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation