casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | S3BHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-S3BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3BHE3_A/I-FT |
SL44HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3K-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel