casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-3EMU06-M3/5AT
codice articolo del costruttore | VS-3EMU06-M3/5AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-3EMU06-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-3EMU06-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-3EMU06-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-3EMU06-M3/5AT-FT |
SS16HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel