casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-32CTQ030-N3
codice articolo del costruttore | VS-32CTQ030-N3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-32CTQ030-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-32CTQ030-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.75mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ030-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-32CTQ030-N3-FT |
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel