casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-32CTQ025STRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-32CTQ025STRRHM3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-32CTQ025STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-32CTQ025STRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 25V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.75mA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-32CTQ025STRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-32CTQ025STRRHM3-FT |
VS-MURB2020CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation