casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MURB2020CTLHM3
codice articolo del costruttore | VS-MURB2020CTLHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MURB2020CTLHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-MURB2020CTLHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 21ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB2020CTLHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MURB2020CTLHM3-FT |
VB40100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40120C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel