casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTQ080GSTRLP
codice articolo del costruttore | VS-30CTQ080GSTRLP |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTQ080GSTRLP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ080GSTRLP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 280µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ080GSTRLP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTQ080GSTRLP-FT |
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel