casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGB10GCT-E3/81
codice articolo del costruttore | UGB10GCT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB10GCT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB10GCT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10GCT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB10GCT-E3/81-FT |
MBRB3035CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel