casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTH02STRRPBF
codice articolo del costruttore | VS-30CTH02STRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTH02STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-30CTH02STRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTH02STRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTH02STRRPBF-FT |
UB30DCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel