casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EMH02-M3/5AT
codice articolo del costruttore | VS-2EMH02-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-2EMH02-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-2EMH02-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EMH02-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EMH02-M3/5AT-FT |
SS15-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel