casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS16-E3/5AT
codice articolo del costruttore | SS16-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS16-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS16-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS16-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS16-E3/5AT-FT |
ESH1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation