casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EGH02HM3/5BT
codice articolo del costruttore | VS-2EGH02HM3/5BT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-2EGH02HM3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-2EGH02HM3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 21ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EGH02HM3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EGH02HM3/5BT-FT |
MURS340S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360SHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360SHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation