casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EFH01HM3/I
codice articolo del costruttore | VS-2EFH01HM3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-2EFH01HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-2EFH01HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EFH01HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EFH01HM3/I-FT |
V3FM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel