casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20TQ040PBF
codice articolo del costruttore | VS-20TQ040PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20TQ040PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20TQ040PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.7mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20TQ040PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20TQ040PBF-FT |
VS-8ETH06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel