casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-18TQ045HN3
codice articolo del costruttore | VS-18TQ045HN3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-18TQ045HN3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-18TQ045HN3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 18A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ045HN3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-18TQ045HN3-FT |
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-7000HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel