casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30ETH06STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-30ETH06STRR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30ETH06STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-30ETH06STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30ETH06STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30ETH06STRR-M3-FT |
MBRB1660-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation