casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1N3672A
codice articolo del costruttore | VS-1N3672A |
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Numero di parte futuro | FT-VS-1N3672A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N3672A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N3672A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1N3672A-FT |
VS-150UR120DM12
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3290
Vishay Semiconductor Diodes Division
80SQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ060TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ080TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50SQ100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80SQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel