codice articolo del costruttore | 1N3290 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3290 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3290 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 24mA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3290 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3290-FT |
VS-31DQ05TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel