casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1N1200A
codice articolo del costruttore | VS-1N1200A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-1N1200A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N1200A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N1200A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1N1200A-FT |
VS-1N1201RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1202RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1203A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3670A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3672A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation