casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1N1187
codice articolo del costruttore | VS-1N1187 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-1N1187 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N1187 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 110A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N1187 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1N1187-FT |
VS-1N3890
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3881
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1206RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1206A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1203RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1202A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1200A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1199A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel