casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-183NQ100PBF
codice articolo del costruttore | VS-183NQ100PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-183NQ100PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-183NQ100PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-183NQ100PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-183NQ100PBF-FT |
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel