casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-150EBU04
codice articolo del costruttore | VS-150EBU04 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-150EBU04 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-150EBU04 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 93ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | PowerTab™, PowIRtab™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowIRtab™ |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-150EBU04 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-150EBU04-FT |
MPG06DHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06G-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06G-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06J-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06J-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3_A/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel