casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MPG06GHE3_A/53
codice articolo del costruttore | MPG06GHE3_A/53 |
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Numero di parte futuro | FT-MPG06GHE3_A/53 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MPG06GHE3_A/53 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 600ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPG06GHE3_A/53 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MPG06GHE3_A/53-FT |
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT53D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT53F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT53G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel