casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10TQ045STRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-10TQ045STRL-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10TQ045STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10TQ045STRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10TQ045STRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10TQ045STRL-M3-FT |
VS-ETU3006STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel