casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10MQ100HM3/5AT
codice articolo del costruttore | VS-10MQ100HM3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10MQ100HM3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-10MQ100HM3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 38pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10MQ100HM3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10MQ100HM3/5AT-FT |
SA2M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2M-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel